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东芝、WD联合开始引领3D NAND技术 韩国Samsung势头正在减弱?

渔翁先生 ? 来源:电子发烧友网 ? 作者:尹志坚 ? 2019-03-21 01:55 ? 次阅读

登录新甫京343414com www.london-email-marketing.com 一直以来,三星电子(Samsung,以下简称“三星”)是全球最大的闪存供应商。其几乎每年都会发布半导体芯片技术发展的成果,以此来表明三星已经主导了闪存技术的发展。

图1:2014~2018年三星和东芝WD上市的3D NAND (注:以上时间非产品发布时间)

回顾三星过去,2014年,三星推出了一款3D NAND芯片,每个芯片有24层堆叠和128Gbit存储容量,堆叠方式采用的是MLC方式。这可能是全球第一个正式的3D NAND芯片。

至2015年,三星将堆叠层数的数量增加到32层,并推出用于多级存储的TLC方案,尽管每个硅片的存储容量没有变化,仍然是128Gbit。发布的3D NAND芯片,硅片面积显著减少。该芯片被认为是第一款全尺寸3D NAND闪存。

在2016年,三星发布了一款3D NAND芯片,将每个芯片的存储容量翻倍至256Gbit。通过进一步将堆叠层数量增加到48层来增加存储器密度。此时,第二大闪存供应商东芝存储和西部数据联合体(以下简称“东芝WD联盟”)尚未发布3D NAND芯片。3D NAND芯片的技术受到三星的支配。

东芝WD联盟发布3D NAND芯片

直至2017年,该联盟宣布了一项创新3D NAND技术,每个芯片具有512Gbit的存储容量。奇怪的是,三星也在同一时期发布了一款3D NAND芯片,每个芯片的存储容量为512Gbit。二者的存储技术皆是64层堆叠,并且都采用TLC方式。原型芯片的硅片面积东芝WD联盟为132平方毫米,三星为128.5平方毫米,尺寸几乎相同。二者产品处于技术竞争态势。

去年(2018年),双方在存储产品技术发展方向上略有不同,三星将堆叠层数的数量保持在64层,并通过QLC堆叠方式将每个硅芯片的存储容量增加到1Tbit,这是过去最大容量的3D NAND芯片。作为回应,东芝WD联盟开发出具有最高密度的3D NAND芯片,将堆叠层数量增加至96层。

三星的3D NAND势头正在减弱

然而,2019年有些不同。东芝WD联盟展示了两款高度创新的3D NAND芯片,但三星发布的芯片很难说技术发展与之过去产品先进多少。据笔者看来,东芝WD联盟的势头强劲,三星的势头正在减弱。

图2:2019年三星和东芝WD发布的3D NAND (注:以上时间非产品发布时间)

在今年双方推出的3D NAND芯片中,东芝WD联盟已将多级存储器技术改为QLC方式,同时保持与去年相同数量的堆叠层,每个硅片的存储容量为1.33Tbit,这是有史以来3D NAND芯片最大的容量。此外,该联盟还宣布推出了另外一款3D NAND芯片,该芯片通过增加堆叠层数量大大减少了硅面积。它实现了TLC记录的最高存储密度。

另一方面,三星宣布推出的3D NAND芯片,将堆叠层的数量增加至110层~120层。但是,存储容量和存储密度都不如上一代产品,这显然要落后于东芝WD联盟。

96层超大容量1.33Tbit存储器

这是首次由东芝和西部数据联合开发的最大容量3D NAND芯片。其每个硅片的存储容量非常大,为1.33Tbit。硅芯片面积为158.4平方毫米,存储密度为8.5Gbit/平方毫米,堆叠层数达到96层。

东芝WD联盟去年发布的96层3D NAND芯片具有512Gbit的存储容量和5.95Gbit/平方毫米的存储密度。该芯片将存储容量提高2.67倍,存储密度提高1.43倍。个中原因在于,今年东芝WD联盟发布的96层3D NAND芯片采用了QLC方式。

128层,实现TLC最高存储密度

在另外一款由东芝WD联盟推出的3D NAND芯片中,128层的堆叠层数达到了有史以来的最高水平。每个硅片的存储容量为512Gbit。采用了TLC方式的多级存储器技术。存储密度为7.8Gbit/平方毫米,TLC方案实现了有史以来最高的存储密度,而且硅片面积非常小,仅为66平方毫米。

图3:东芝WD联合开发的3D NAND闪存技术发展历程。

除了高存储密度意外,东芝WD联盟开发的芯片还具有高写入吞吐量的特征。其去年宣布的96层TLC方式的512Gbit芯片的写入吞吐量为57MB/s。另一方面,在目前的512Gbit芯片中,写入吞吐量达到132MB/s,较之前者翻了2倍有余。

三星“第六代”3D NAND原型芯

而三星今年2月对外宣布,“第六代(简称‘V6’)”3D NAND闪存芯片已经在开发中。存储容量为512Gbit,采用TLC的堆叠方式,硅片面积为101.58平方毫米,存储密度为5.04Gbit/平方毫米。

尽管堆叠层的数量高于100层,但硅芯片面积大于去年东芝WD发布的具有相同存储容量的96层3D NAND芯片的面积。

图4:三星3D NAND闪存技术迭代史。

结论:尽管2018年下半闪存企业过得并不经如意。但我们有理由相信,不止三星、东芝/西部数据(WD),美光、SK海力士等闪存企业在技术上的竞争将越向趋于激烈。通过上述对三星和东芝/西部数据(WD)3D NAND芯片的技术发展预判,东芝WD联盟正在奋起追赶,同时也包括部分国内闪存企业,如长江存储、紫光、福建晋华等正逐渐抢食三星原有的市场份额。那么,未来闪存市场究竟几分天下?就让我们拭目以待吧。

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ADSP-BF514F16 集成16 MB FLASH存储器和RSI的BLACKFIN嵌入式处理器

ADSP-BF518F16 集成16 MB FLASH存储器并支持IEEE-1588的BLACKFIN嵌入式处理器

和特点 高达400MHz的高性能Blackfin处理器2个16位MAC、2个40位ALU、4个8位视频ALUs、40位移位器RISC式寄存器和指令模型,简化编程并提供编译器相关支持 宽工作电压范围 通过汽车应用认证 168引脚CSP_BGA封装或176引脚LQFP_EP封装(裸露焊盘) 存储器116KB片内存储器外部存储器控制器无缝支持SDRAM和异步8/16位存储器带引导选项的可选16Mb SPI闪存 外设IEEE 802.3兼容型10/100以太网MAC,支持IEEE 1588(仅限ADSP-BF518/ADSP-BF518F16)并行外设接口(PPI),支持ITU-R 656视频数据格式 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADSP-BF512、ADSP-BF514/ADSP-BF514F16、ADSP-BF516、ADSP-BF518/ADSP-BF518F16处理器属于Blackfin?系列产品,采用ADI公司/Intel公司的微信号架构(MSA)。 Blackfin处理器将先进的双MAC信号处理引擎、干净且正交的RISC式微处理器指令集的优势和单指令、多数据流(SIMD)多媒体能力结合为一个指令集架构。ADSP-BF518F16产品可代替现已停产的ADSP-BF51xF产品。 这些处理器与其它Blackfin处理...
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ADSP-BF518F16 集成16 MB FLASH存储器并支持IEEE-1588的BLACKFIN嵌入式处理器

LTC3676 面向应用处理器的电源管理解决方案

和特点 4 通道 I2C 可调高效率降压型 DC/DC 转换器:2.5A、2.5A、1.5A、1.5A3 个 300mA LDO 稳压器 (有 2 个是可调的)具有 VTT 和 VTTR 基准的 DDR 电源解决方案具有系统复位功能的按钮 ON / OFF 控制独立的使能引脚搭接或 I2C 排序可编程自主型断电控制动态电压调节电源良好和复位功能可选的 2.25MHz 或 1.12MHz 开关频率始终保持运行的 25mA LDO 稳压器12μA 待机电流扁平 40 引线 6mm x 6mm QFN 和 48 引线裸露焊盘 LQFP 封装 产品详情 LTC?3676 是一款完整的电源管理解决方案,适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器,以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用于控制稳压器使能、断电排序、输出电压电平、动态电压调节、操作模式和状态报告。稳压器启动的排序操作通过按期望的次序将其输出连接至使能引脚或通过 I2C 端口来完成。系统上电、断电和复位功能受控于按钮接口、...
发表于 02-22 14:30 ? 0次 阅读
LTC3676 面向应用处理器的电源管理解决方案

LTC3612 3A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 3A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 70μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比停机电流:≤1μA可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±1.5A采用耐热性能增强型 20 引脚 (3mm x 4mm) QFN 和 TSSOP 封装 产品详情 LTC?3612 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中电流降至零。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3612 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3612 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时...
发表于 02-22 14:28 ? 0次 阅读
LTC3612 3A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

LTC3616 6A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95% 低压差操作:100% 占空比 SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI 可调开关频率:高达 4MHz 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可编程软起动 用于启动跟踪或外部基准的输入 DDR 存储模式,IOUT = ±3A 采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC?3616 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3616 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3616 同步至...
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LTC3616 6A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

LTC3614 4A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 4A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±3A采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC?3614 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 75μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3614 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3614 同步至一个频率高达 4M...
发表于 02-22 14:27 ? 0次 阅读
LTC3614 4A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

LTC3617 用于 DDR 终端的 ±6A、单片式、同步降压型稳压器

和特点 ±6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±10mV 输出电压准确度 专为低至 0.5V 的低输出电压而优化 高效率 用于 VTTR = VDDQIN ? 0.5 的集成型缓冲器 停机电流:<1μA 可调开关频率:高达 4MHz 任选的内部补偿 内部软起动 电源良好状态输出 输入过压保护 耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC?3617 是一款高效率、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件的工作输入电压范围为 2.25V 至 5.5V,并提供了一个等于 0.5 ? VDDQIN 的稳定输出电压,同时可供应和吸收高达 6A 的负载电流。内部放大器可提供一个等于 0.5·VDDQIN 的 VTTR 输出电压,并具有 ±10mA 的输出电流能力。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3617 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时钟。LTC3617 中的强制连续模式操作可降低噪声及 RF 干扰。可调的外部补偿使得能够在一个很宽的负载和输出电容范围内优化瞬态响应。内部同步开关提升了效率,并免除了增设一个外部箝位二极管的需要,从而最大...
发表于 02-22 14:24 ? 0次 阅读
LTC3617 用于 DDR 终端的 ±6A、单片式、同步降压型稳压器

LTC3615 双通道、4MHz、3A、同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 高效率:达 94% 具 2 x 3A 输出电流能力的双路输出 低输出纹波突发模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 130μA 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 开关引脚上的可编程转换速率 低压差操作:100% 占空比 停机电流:≤1μA 可调开关频率:高达 4MHz 内部或外部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 通道之間的 0° / 90° / 180° (LTC3615) 或 140° / 180° 可選相移 固定内部和可编程外部软起动 准确的启动跟踪能力 DDR 存储模式的 IOUT = ±1.5A 采用 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装 ? 产品详情 LTC?3615 / LTC3615-1 是一款双通道、3A、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。DC 电源电流仅为 130μA (在无负载时执行突发模式操作),并保持了输出电压,在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源范围使器件非常适合于单节锂离子电池应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电式系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz...
发表于 02-22 14:23 ? 0次 阅读
LTC3615 双通道、4MHz、3A、同步降压型 DC/DC 转换器

LTM4632 用于 DDR-QDR4 存储器的超薄、三路输出、降压型 μModule 稳压器

和特点 包括 VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF) 的完整 DDR-QDR4 SRAM 电源解决方案占板面积为 0.5cm2 (双面 PCB) 的解决方案宽输入电压范围:3.6V 至 15V3.3V 输入可兼容连接至 INTVCC 的 VIN0.6V 至 2.5V 输出电压范围双路 ±3A DC 输出电流 (具有提供和吸收能力)±1.5%、±10mA 缓冲 VTTR = VDDQ/2 输出3A VDDQ + 3A VTT 或双相单路 6A VTT在整个负载、电压和温度范围内具有 ±1.5% 的最大总输出电压调节误差电流模式控制,快速瞬态响应外部频率同步多相可并联和均流可选的突发模式 (Burst Mode?) 操作过压输入和过热保护电源良好指示器超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装和超薄型 6.25mm x 6.25mm x 2.42mm BGA 封装 产品详情 LTM?4632 是一款超薄的三路输出降压型 μModule? (电源模块) 稳压器,可提供用于 DDR-QDR4 SRAM 的完整电源解决方案。LTM4632 可在一个 3.6V 至 15V 的输入电压范围内运作,支持两个用于 VDDQ 和 VTT 的 ±3A 输出电源轨 (两者均可吸收和提供电流) 和一个 10mA 低噪声基准 VTTR 输出。VTT 和 VTTR 皆跟踪并等于 VD...
发表于 02-22 14:14 ? 8次 阅读
LTM4632 用于 DDR-QDR4 存储器的超薄、三路输出、降压型 μModule 稳压器

LTC3876 用于 DDR 电源的双通道 DC/DC 控制器具有差分 VDDQ 检测功能和 ±50mA VTT 基准

和特点 具 VTT 基准的完整 DDR 电源解决方案 宽 VIN 范围:4.5V 至 38V,VDDQ:1V 至 2.5V ±0.67% VDDQ 输出电压准确度 VDDQ 和 VTT 终端控制器 ±1.2% ±50mA 线性 VTTR 基准输出 受控导通时间、谷值电流模式控制 频率可编程范围:200kHz 至 2MHz 可同步至外部时钟 tON(MIN) = 30ns,tOFF(MIN) = 90ns RSENSE 或电感器 DCR 电流检测 电源良好输出电压监视器 过压保护和电流限值折返 耐热性能增强型 38 引脚 (5mm x 7mm) QFN 封装和 TSSOP 封装产品详情 LTC?3876 是一款完整的 DDR 电源解决方案,可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未来的较低电压 DDRX标准。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一个高精度线性 VTT 基准。一个差分输出检测放大器与高精度的内部基准相组合,可提供一个准确的 VDDQ 电源。VTT 控制器负责跟踪高精度的 VTTR 线性基准,并具有 <20mV 的总 DC 误差。对于一个 ±50mA 基准负载,当跟踪二分之一 VDDQ 时,高精度的 VTTR 基准可在整个温度范围内保持 1.2% 的调节准确度。LTC3876 允许在 4.5V 至 38V (最大...
发表于 02-22 14:11 ? 0次 阅读
LTC3876 用于 DDR 电源的双通道 DC/DC 控制器具有差分 VDDQ 检测功能和 ±50mA VTT 基准

LTC3831-1 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

和特点 VOUT低至 0.4V 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT跟踪 1/2 of VIN或外部VREF 无需电流检测电阻器 低 VCC 电源:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 >91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:达 95% 可编程固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可编程软启动 低停机电流:<10μA 过热保护 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装? ? ? 产品详情 LTC?3831-1 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831-1 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831-1 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831-1 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 >91% 的最大占空比。该器件包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。300kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理 (同步范围为 100kHz 至高于 500kHz)。在停机模式...
发表于 02-22 14:11 ? 0次 阅读
LTC3831-1 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE 降压型控制器

和特点 VOUT = 1/2 VIN (电源分离器) 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 无需检测电阻器 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 双路 N 沟道 MOSFET 同步驱动 电源良好输出电压监视器 宽 VCC 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC?3717 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比,并不需要使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的并可由用户设置。宽电源范围允许器件在 4V 至 36V 的 VCC...
发表于 02-22 14:10 ? 4次 阅读
LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE 降压型控制器

LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

和特点 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 无需电流检测电阻器 低输入电源电压范围:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 >91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:可达 95% 以上 可设置固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可设置软起动 低停机电流:<10μA 过热保护 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装? 产品详情 LTC?3831 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 >91% 的最大占空比。它包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。200kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理(同步范围为 100kHz 至 500kHz 以上)。在停机模式中,LTC3831 的电...
发表于 02-22 14:10 ? 0次 阅读
LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端的双输出、两相、No RSENSE? 同步控制器

和特点 无需电流检测电阻器 异相控制器减小了所需的输入电容 VOUT2 跟踪 1/2 VREF 对称的输出电流供应/吸收能力 (VOUT2) 扩频操作 (当被使能时) 宽 VIN 范围:2.75V 至 9.8V 恒定频率电流模式操作 0.6V±1.5% 电压基准 (VOUT1) 低压差操作:100% 占空比 用于频率锁定或调节的真正 PLL 内部软起动电路 电源良好输出电压监视器 输出过压保护 微功率停机模式:IQ = 9μA 纤巧型扁平(4mm x 4mm)QFN 封装和窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC?3776 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压型开关稳压控制器。第二个控制器负责将其输出电压调节至 1/2 VREF,并提供了对称的输出电压供应和吸收能力。 无检测电阻器 (No RSENSE) 型恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要,并改善了效率。通过使两个控制器异相工作,最大限度地降低了由输入电容的 ESR 所引起的功耗和噪声。 开关频率可被设置为高达 750kHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器和电容器。对于那些对噪声敏感的应用,可以从外部对 LTC3776 的开关频率进行同步处理 (同步范围为 250kHz 至 850kHz),也可启用...
发表于 02-22 14:10 ? 14次 阅读
LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端的双输出、两相、No RSENSE? 同步控制器

LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端的低输入电压 DC/DC 控制器

和特点 非常低的 VIN(MIN):1.5V 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 用于 N 沟道 MOSFET 的 5V 驱动免除了 5V 辅助电源 无需检测电阻器 采用标准的 5V 逻辑电平 N 沟道 MOSFET VOUT(MIN):0.4V VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 对称的供应和吸收输出电流限制 可调的开关频率 tON(MIN) < 100ns 电源良好输出电压监视器 可编程软启动 输出过压保护 任选的短路停机定时器 小外形 24 引脚 SSOP 封装 产品详情 LTC?3718 是一款用于 DDR 和 QDR? 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作,并提供一个等于 (0.5)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间,而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。LTC3718 采用一对标准的 5V 逻辑电平 N 沟道外部 MOSFET,从而免除了增设昂贵 P 沟道或低门限器件的需要。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。故障保护由内部折返电流限制、一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针...
发表于 02-22 14:10 ? 13次 阅读
LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端的低输入电压 DC/DC 控制器

LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE? 降压型控制器

和特点 VOUT = 1/2 VREF 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) 真正的电流模式控制,可选择使用检测电阻器 VON 和 ION 引脚在输入和输出电压变化期间允许执行恒定频率操作 ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 超快的瞬态响应 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 电源良好输出电压监视器 宽 VIN 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 5mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC?3717-1 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构,以在采用和未采用检测电阻器的情况下提供非常低的占空比。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 和 VOUT 中的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部被设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的,并可由用户...
发表于 02-22 14:09 ? 8次 阅读
LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE? 降压型控制器

LTC1262 12V、30mA 闪速存储器编程电源

和特点 稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V有保证的 30mA 输出低功率:ICC = 500μA停机模式中的 ICC:0.5μA8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装 产品详情 LTC?1262 是一款稳定的 12V、30mA 输出 DC/DC 转换器。该器件专为提供对字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出而设计。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供高达 30mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。TTL 兼容型停机引脚可以直接连接至一个微处理器,并把电源电流减小至低于 0.5μA。LTC1262 提供了改善的停机电流性能,且所需的外部组件少于同类竞争解决方案。LTC1262 采用 8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装。应用12V 闪速存储器编程电源紧凑型 12V 运放电源电池供电型系统 方框图...
发表于 02-22 13:42 ? 0次 阅读
LTC1262 12V、30mA 闪速存储器编程电源

LTC1263 12V、60mA 闪速存储器编程电源

和特点 有保证的 60mA 输出稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V停机模式中的 ICC 为 0.5μA (典型值)低功率:ICC = 300μA8 引脚 SO 封装引出脚配置与 LTC1262 和 MAX662 相同 产品详情 LTC?1263 是一款稳定的 12V、60mA 输出 DC/DC 转换器。该器件可提供对双字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供 60mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。输出可以短促地短接至地,并不会损坏器件。高电平有效的 TTL 兼容型停机引脚可以直接连接至一个微处理器。在停机模式中,电源电流通常降至 0.5μA。?LTC1263 采用 8 引脚 SO 封装。应用 12V 闪速存储器编程电源 紧凑型 12V 运放电源 电池供电型系统方框图...
发表于 02-22 13:42 ? 0次 阅读
LTC1263 12V、60mA 闪速存储器编程电源

LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双通道、3A、单片式、降压型稳压器

和特点 3.6V 至15V 输入电压范围每通道的输出电流为±3A效率高达 95%通道之间的 90°/180° 可选相移可调开关频率范围:500kHz 至 4MHzVTTR = VDDQ / 2 = VTT基准准确度为 ±1.6% 的 VTTR (在 0.75V)最佳 VOUT范围:0.6V 至 3V±10mA 缓冲输出负责提供 VREF 基准电压旨在实现超卓的电压和负载瞬态响应的电流模式操作外部时钟同步短路保护输入过压和过热保护电源良好状态输出采用 (4mm x 5mm) QFN-28 封装和耐热性能增强型 28 引脚 TSSOP 封装 产品详情 LTC?3634?是一款高效率、双通道、单片式、同步降压型稳压器,可为?DDR1、DDR2?和?DDR3 SDRAM?控制器提供电源及总线终端电压轨。该器件的工作输入电压范围为?3.6V?至?15V,从而使其适合于那些采用一个?5V?或?12V?输入的负载点电源应用以及各种电池供电型系统。VTT?稳定输出电压等于?VDDQIN ? 0.5。一个能驱动?10mA?负载的片内缓冲器可提供一个也等于?VDDQIN ? 0.5?的低噪声基准输出?(VTTR)。此?IC?的工作频率可利用一个外部电阻器在?500kHz?至?4MHz 的范围内进行设置和同步处理。两个通道能够?180°...
发表于 02-22 12:18 ? 21次 阅读
LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双通道、3A、单片式、降压型稳压器

LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4MHz、±3A、同步降压型稳压器

和特点 DDR 电源、终端和基准高效率:达 94% 具 ±3A 输出电流能力的双通道输出 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 VTT 输出电压低至 0.5V 停机电流:≤1μA VTTR = VDDQIN/2,VFB2 = VTTR 可调开关频率:高达 4MHz 内部补偿或外部补偿 通道之间的 0° / 90° / 180° 可选相移 内部或外部软起动用于 VDDQ,内部软起动用于 VTT 电源良好状态输出 扁平 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装产品详情 LTC?3618 是一款双通道、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件提供了一款完整的 DDR 解决方案,具有一个 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的 VDDQ 电源。一个缓冲基准可产生等于 50% VDDQIN 的 VTTR,并驱动高达 ±10mA 的负载。第二个稳压器可产生等于 VTTR 的 DDR 终端电压 (VTT)。在 1MHz 开关频率下,两个稳压器均能够提供 ±3A 的负载电流。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。在两个通道之间可以选择 0°、90°或 180°的相移,以最大限度地减小输...
发表于 02-22 12:05 ? 25次 阅读
LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4MHz、±3A、同步降压型稳压器